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2021年研究进展系列之36:我院光电子材料与探测技术团队关于3C-SiC/4H-SiC薄膜性质研究取得进展
2021-09-01 09:19  

近日,我院光电子材料与探测技术团队和西安电子科技大学、台湾大学、中科院北京纳米能源与系统研究所、北弗罗里达大学、肯尼索州立大学合作,对4H-SiC衬底上不同温度生长的3C-SiC薄膜的光学和表面性质展开研究。研究论文由Superlattices and Microstructures 接收发表。

论文链接https://doi.org/10.1016/j.spmi.2021.106960

论文作者:王炳军(硕)、尹军华(硕)、陈代华(硕)、龙先见(硕)、李磊(硕)、林浩雄(台湾大学)、 胡卫国(中科院北京纳米能源与系统研究所), Devki N. Talwar(美国北弗罗里达大学), 贾仁需(西安电子科技大学), 张玉明(西安电子科技大学), Ian T. Ferguson(美国肯尼索州立大学), 孙文红, 冯哲川*, 万玲玉*

论文对采用化学气相沉积法在不同高温条件下生长的一组 3C-SiC/4H-SiC薄膜的光学和表面特性进行了深入研究。通过X射线衍射、X射线光电子能谱和拉曼散射光谱评估生长温度对薄膜形貌、光学和材料性能的影响。通过分析X射线衍射和拉曼散射光谱得到外延生长温度对薄膜结晶质量有显著影响。X射线光电子能谱表征了SiCO 元素的表面态以及随外延生长温度的变化。研究结果发现 3C-SiC拉曼横向光学声子模随着外延生长温度1530-1580 °C的增加往低波数方向偏移,同时非谐耦合和声子寿命发生变化。最后获得了在 1530-1580°C温度范围内的优化生长温度。

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